Влияние технологических факторов процесса изготовления биметаллической ребристой трубы на интенсивность теплопередачи аппаратов воздушного охлаждения

Θεματικοί όροι: аппараты воздушного охлаждения, труба-калориметр, аэродинамическое сопротивление шахматных пучков, биметаллические ребристые трубы, поперечно-винтовая прокатка алюминиевой оболочки, теплоотдача шахматных пучков, термическое контактное сопротивление, теплопередача аппаратов воздушного охлаждения

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/69967

Параметры омических контактов и учет влияния реальных размеров образцов на полевую зависимость дрейфовой скорости в слоях In0.16Ga0.84As

Συγγραφείς: В. А. Кузнецов, Д. Ю. Протасов, Д. В. Дмитриев, В. Я. Костюченко, К. С. Журавлев

Συνεισφορές: Работа выполнена в рамках госзадания ИФП СО РАН (тема №FWGW-2025-0024).

Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 28, № 1 (2025) ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 28, № 1 (2025) ; 2413-6387 ; 1609-3577

Θεματικοί όροι: дрейфовая скорость, контактное сопротивление, сильное электрическое поле

Relation: Tokumitsu T., Kubota M., Sakai K., Kawai T. Application of GaAs Device Technology to Millimeter-Waves. SEI Technical Review. 2014, no. 79, pp. 57- 65.; Cho S.J., Wang C., Kim N.Y. High power density AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs using an optimized manufacturing process for Ka-band applications. Microelectronic Engineering, 2014, vol. 113, pp. 11–19. https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.07.001; Pashkovskii A.B., Bogdanov S.A., Bakarov A.K., Grigorenko A.B., Zhuravlev K.S., Lapin V.G., Lukashin V.M., Rogachev I.A., Tereshkin E.V., Shcherbakov S.V. Millimeter-Wave Donor–Acceptor-Doped DpHEMT. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, vol. 68, no. 1, pp. 53-56. https://doi.org/10.1109/TED.2020.3038373; Chen Y.C., Bhattacharya P.K. Determination of critical layer thickness and strain tensor in InxGa1-xAs/GaAs quantum-well structures by x-ray diffraction. J. Appt. Phys, 1993, vol. 73, no. 11, pp. 7389-7394. https://doi.org/10.1063/1.354030; Požela J. Physics of High-Speed Transistors. New York: Plenum Press, 1993. 337 p. https://doi.org/10.1007/978-1-4899-1242-8.; Иващенко В.М., Митин В.В. Моделирование кинетических явлений в полупроводниках. Метод Монте-Карло. Киев: Наук. думка, 1990. 189 с.; Воробьёв Л.Е. Горячие электроны в полупроводниках и наноструктурах. СПб: Изд-во СПбГТУ, 1999. 154 с.; Kablukova E., Sabelfeld K.K., Protasov D., Zhuravlev K. Stochastic simulation of electron transport in a strong electrical field in low-dimensional heterostructures. Monte Carlo Methods and Applications, 2023, 29(4), pp. 307-322. https://doi.org/10.1515/mcma-2023-2019; Thobel J.L., Baudry L., Cappy A., Bourei P., Fauquembergue R. Electron transport properties of strained InxGa1−xAs. Appl. Phys. Lett., 1990, vol. 56 no. 4, pp. 346-348. https://doi.org/10.1063/1.102780; Айзенштат Г.И., Божков В.Г., Ющенко А.Ю. Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs. Известия ВУЗов. Физика, 2010, Т. 53, № 9, c. 34-39.; Шиленас А., Пожела Ю., Пожела К., Юцене В., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Пушкарев С.C., Климов Е.А. Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой. ФТП. 2013, Т. 47, № 3, с. 348-352.; Протасов Д.Ю., Гуляев Д.В., Бакаров А.К., Торопов А.И., Ерофеев Е.В., Журавлев К.С. Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием. Письма в Журнал Технической Физики, 2018, Т. 44, № 6, с. 77-84. https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.06.45770.17098; Kim I.H. Pd/Ge(or Si)/Pd/Ti/Au Ohmic Contacts to n-type InGaAs for AlGaAs/GaAs HBTs. Metals and Materials International, 2004, vol. 10, no. 4 , pp. 381-386.; Lee J.-M., Choi I.-H., Park S. H., Min B.-G., Lee T.-W., Park M. P., Lee K.-H. WNx/WN0.5x/W Ohmic Contact to n-InGaAs and Its Application to AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors. Journal of the Korean Physical Society, 2000, vol. 37, no. 1, pp. 43-48.; Iliadis A.A., Zahurak J.K., Neal T., Masselink W.T. Lateral Diffusion Effects in AuGe Based Source-Drain Contacts to AlInAs/InGaAs/InP Doped Channel MODFETs. Journal of Electronic Materials, 1999, vol. 28, no. 8, pp. 944-948.; Yearsley J.D., Lin J.C., Hwang E., Datta S., Mohney S.E. Ultra low-resistance palladium silicide Ohmic contacts to lightly doped n-InGaAs. Journal of Applied Physics, 2012, vol. 112, 054510 (8pp). https://doi.org/10.1063/1.4748178; Nebauer E., Mai M., Richter E., Würfl J. Low Resistance, Thermally Stable Au/Pt/Ti/WSiN Ohmic Contacts on n+-InGaAs/n-GaAs Layer Systems. Journal of Electronic Materials, 1998, vol. 27, no. 12, pp. 1372-1374.; Barker J.M., Akis R., Thornton T.J., Ferry D.K., Goodnick S.M. High Field Transport Studies of GaN. Phys. stat. sol., 2002, vol. 190, no. 1, pp. 263–270.; Barker J.M., Ferry D.K., Koleske D.D., Shul R.J. Bulk GaN and AlGaN∕GaN heterostructure drift velocity measurements and comparison to theoretical models. Journal of Applied Physics, 2005, vol. 97, 063705 (5pp). https://doi.org/10.1063/1.1854724; Yang D., Bhattacharya P.K., Hong W.P., Bhat R., Hayes J. R. High-field transport properties of lnAsxP1-x/lnP (0.3≤x≤1) modulation doped heterostructures at 300 and 77 K. J. Appl. Phys., 1992, vol. 72, no. 1, pp. 174-178. https://doi.org/10.1063/1.352154; Gulyaev D.V., Zhuravlev K.S., Bakarov A.K., Toropov A.I., Protasov D.Yu., Gutakovskii A.K., Ber B.Ya., Kazantsev D.Yu. Influence of the additional p+ doped layers on the properties of AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures for high power SHF transistors. J. Phys. D: Appl. Phys., 2016, vol. 49, 095108 (9pp). https://doi.org/10.1088/0022-3727/49/9/095108; Андреев А.Н., Растегаева М.Г., Растегаев В.П., Решанов С.А. К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 с. 832-838; Khan I.A., Cooper J.A. Measurement of high-field electron transport in silicon carbide. IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, vol. 47, no. 2, pp. 269-273. https://doi.org/10.1109/16.822266; Пожела Ю., Пожела К., Рагуотис Р., Юцене В. Дрейфовая скорость электронов в квантовых ямах селективно легированных гетероструктур In0.5Ga0.5As/AlxIn1-xAs и In0.2Ga0.8As/AlxGa1−xAs в сильных электрических полях. Физика и Техника Полупроводников, 2011, Т. 45, № 6, с. 778-782.; Thobel J.L., Baudry L., Bourel P., Dessenne F., Charef M. Monte Carlo modeling of high-field transport in III-V Heterostructures. Journal of Applied Physics, 1993, vol. 74, no. 10, pp. 6274-6280 https://doi.org/10.1063/1.355145; https://met.misis.ru/jour/article/view/602

Διαθεσιμότητα: https://met.misis.ru/jour/article/view/602
https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202407.602

Formation of ohmic contacts to n-Alx Ga1-xN:Si layers with a high aluminum content

Συγγραφείς: Semenov, Aleksey, Nechaev, Dmitrii, Berezina, Daria, Guseva, Yulia, Kulagina, Marina, Smirnova, Irina, Zadiranov, Yurii, Troshkov, Sergei, Shmidt, Natalia

Θεματικοί όροι: омический контакт, contact resistance, transmission line method, контактное сопротивление, ohmic contacts, AlGaN solid alloys, быстрое термическое вжигание контактов, rapid thermal annealing, твердые растворы AlGaN, TLM-метод

Research of the non-sinusoidal loads impact on the operability of tap-changers contacts

Συγγραφείς: Zіnovkin, V.V., Blyzniakov, O.V.

Συνεισφορές: transformer equipment, load fluctuations, on-load tap-changers, contacts, contact resistance, non-sinusoidal cur-rent, reliability, трансформаторне обладнання, різкозмінні навантаження, пристрої РПН, контактний опір, не-синусоїдальний струм, надійність

Πηγή: Elektrotehnìka ta Elektroenergetika, Iss 2 (2020)
Електротехніка та електроенергетика; No 2 (2020): Електротехніка та електроенергетика; 17-23
Электротехника и электроэнергетика; No 2 (2020): Электротехника и электроэнергетика; 17-23
Electrical Engineering and Power Engineering; No 2 (2020): Electrical Engineering and Power Engineering; 17-23
Електротехніка та електроенергетика; № 2 (2020): Електротехніка та електроенергетика; 17-23
Электротехника и электроэнергетика; № 2 (2020): Электротехника и электроэнергетика; 17-23
Electrical Engineering and Power Engineering; № 2 (2020): Electrical Engineering and Power Engineering; 17-23

Θεματικοί όροι: TK4001-4102, Applications of electric power, 0103 physical sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, трансформаторное оборудование, резкопеременные нагрузки, устройства РПН, контактное сопротивление, несинусоидальный ток, надежность, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, 7. Clean energy

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://ee.zntu.edu.ua/article/download/220852/220536
https://doaj.org/article/55f54bbdb40348aaa096db8c0ff7c722
http://ee.zntu.edu.ua/article/view/220852
http://ee.zntu.edu.ua/article/download/220852/220536
http://ee.zntu.edu.ua/article/view/220852

Анализ теплового и вибрационного режимов конструкции электронного модуля с теплоотводами в виде гибкого кондуктивного теплоотвода и единой теплопроводной металлической пластины: Analysis of the thermal and vibrational modes of electronic module with flexible conductive heatsink and single heat-conducting metal plate

Πηγή: Труды НИИСИ РАН. 9:42-45

Θεματικοί όροι: contact thermal resistance, электронный модуль, гибкий кондуктивный теплоотвод, metal plate-heatsink, integrated circuit, 7. Clean energy, металлическая пластина-теплоотвод, vibrations, вибрации, микросхема, heatsink, flexible conductive heatsink, контактное сопротивление, тепловой режим, теплоотвод, electronic module, печатная плата, temperature mode, printed-circuit board

Solution to Non-stationary Inverse Heat Conduction Problems for Multi-layer Bodies, Based on Effective Search for the Regularization Parameter

Συγγραφείς: Volodymyr M. Sirenko, Yuzhnoye State Design Office, Mykola Safonov, Valerii V. Hanchyn, Yurii M. Matsevytyi, A. Kostikov

Πηγή: Journal of Mechanical Engineering, Vol 22, Iss 3, Pp 4-13 (2019)
Journal of Mechanical Engineering; Том 22, № 3 (2019); 4-13
Проблемы машиностроения; Том 22, № 3 (2019); 4-13
Проблеми машинобудування; Том 22, № 3 (2019); 4-13

Θεματικοί όροι: inverse heat conduction problem, heat flux, regularization parameter, УДК 536.24, 02 engineering and technology, stabilizer, обернена задача теплопровідності, тепловий потік, термічний контактний опір, метод регуляризації А. М. Тихонова, функціонал, стабілізатор, параметр регуляризації, ідентифікація, апроксимація, сплайн Шьонберга третього ступеня, 01 natural sciences, functional, a. n. tikhonov regularization method, UDC 536.24, TJ1-1570, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, identification, Mechanical engineering and machinery, 0101 mathematics, обратная задача теплопроводности, тепловой поток, термическое контактное сопротивление, метод регуляризации А. Н. Тихонова, функционал, стабилизатор, параметр регуляризации, идентификация, аппроксимация, сплайн Шёнберга третьей степени, approximation, schoenberg spline of the third degree, thermal contact resistance, A. N. Tikhonov regularization method, Schoenberg spline of the third degree

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://doaj.org/article/ebf2b803b72c4af7b69208ce9fe7bfb1
http://journals.uran.ua/jme/article/view/179040

Компьютерное моделирование гибкого кондуктивного теплоотвода для охлаждения мощных микросхем: Computer simulation of a flexible high conductive heat sink for cooling powerful microcircuits

Πηγή: Труды НИИСИ РАН. 9:36-39

Θεματικοί όροι: мощная микросхема, гибкий кондуктивный теплоотвод, flexible conductive heat sink, контактное сопротивление, contact resistance, powerful microcircuit

The use of hydrogels in mixtures to reduce the transient resistance of the soil - grounding device

Συγγραφείς: Pavlovich, Ivan Alexandrovich, Baraishuk, Sergey Mikhailovich

Θεματικοί όροι: удельное электрическое сопротивление грунта, grounding device, electrical resistivity of the soil, contact resistance, контактное сопротивление, мерзлый грунт, сопротивление заземления, заземляющие устройства, grounding resistance, frozen soil

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://rep.bsatu.by/handle/doc/17812

Влияние термического контактного сопротивления биметаллических ребристых труб на эффективность аппаратов воздушного охлаждения

Θεματικοί όροι: теплообменные аппараты, аппараты воздушного охлаждения, биметаллические ребристые трубы, термическое контактное сопротивление

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: https://elib.belstu.by/handle/123456789/38394

Исследование карбонитрации стали 10

Θεματικοί όροι: КОНТАКТНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ, КАРБОНИТРАЦИЯ, ИЗНОСОСТОЙКОСТЬ, МАГНИТНАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ, ТВЕРДОСТЬ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ СЛОЙ

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://elar.urfu.ru/handle/10995/94821

Электрические свойства структур металл – Pb0.75Sn0.25Te

Συγγραφείς: Ахундова, Наиля Мубин гызы, Алиева, Тунзала Джавад гызы

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 6. С. 17-23

Θεματικοί όροι: монокристаллы, структура металл-полупроводник, контактное сопротивление, примеси

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: koha:001151127; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151127

Διαθεσιμότητα: https://doi.org/10.17223/00213411/67/6/3
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151127

Analysis of the Electric Current Distribution in a Three-Layer Conductive Structure ; Анализ распределения электрического тока в трехслойной проводящей структуре

Συγγραφείς: Levitskiy, Alexey A., Marinushkin, Pavel S., Bakhtina, Valentina A., Левицкий, Алексей А., Маринушкин, Павел С., Бахтина, Валентина А.

Θεματικοί όροι: three-layer conductive structure, current distribution, resistance, specific contact resistivity, transmission line method, трехслойная проводящая структура, распределение тока, сопротивление, удельное контактное сопротивление, TLM-метод

Relation: Журнал сибирского федерального университета. 2024 17(2). Journal of Siberian Federal University. Mathematics & Physics. 2024 17(2); NUTSKE

Διαθεσιμότητα: https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/152684

Выбор вариантов соединений для реализации общей шины ПЛК

Θεματικοί όροι: общая шина, температура, контактное сопротивление, пружинный контакт

A compact MEMS switch for advanced radar systems

Συγγραφείς: Belozerov, Igor, Uvarov, Ilia

Θεματικοί όροι: МЭМС-переключатель, радиолокация, contact resistance, контактное сопротивление, напряжение срабатывания, pull-in voltage, MEMS switch, cantilever, кантилевер, radar

Электрические свойства монокристаллов SnTe с избытком олова и структур SnTe – металл

Συγγραφείς: Ахундова, Наиля Мубин гызы, Алиева, Тунзала Джавад гызы

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 1. С. 100-103

Θεματικοί όροι: твердые растворы, удельное сопротивление, контактное сопротивление, металлические шунты, вакансии

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Relation: vtls:000656355; https://openrepository.ru/article?id=269273

Διαθεσιμότητα: https://openrepository.ru/article?id=269273

Электрические свойства монокристаллов SnTe с избытком олова и структур SnTe – металл

Πηγή: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 1. С. 100-103

Θεματικοί όροι: вакансии, контактное сопротивление, удельное сопротивление, твердые растворы, металлические шунты

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000656355

Нанесение медного покрытия на алюминиевые поверхности с высокой прочностью сцепления ; Deposition copper coating on aluminum surface with high adhesion streigth

Συγγραφείς: Половинкина, Ю. Н., Шаненкова, Юлия Леонидовна, Сайгаш, Анастасия Сергеевна

Συνεισφορές: Сайгаш, Анастасия Сергеевна

Θεματικοί όροι: удельное сопротивление, электроэнергетика, контактное сопротивление, магнитоплазменные ускорители, медные электроды

Relation: Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIII Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 26-29 апреля 2016 г. . Т. 1 : Физика. — Томск, 2016.; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/26022

Διαθεσιμότητα: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/26022

CREATING AND PROPERTIES OF ELECTRICAL CONTACTS OF Al AND Au ON THE Zn1-x Mnx O THING FILMS

Συγγραφείς: Khomyak, V. V.

Πηγή: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 6, № 2 (2009); 64-68
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 6, № 2 (2009); 64-68
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 6, № 2 (2009); 64-68

Θεματικοί όροι: zinc oxide, Zn1-x Mnx O thin films, electrical contact resistance, оксид цинка, тонкие пленки Zn1-x Mnx O, электрическое контактное сопротивление, оксид цинку, тонкі плівки Zn1-x Mnx O, електричний контактний опір

Περιγραφή αρχείου: application/pdf

Σύνδεσμος πρόσβασης: http://semst.onu.edu.ua/article/download/115677/112788
http://semst.onu.edu.ua/article/view/115677

К ВОПРОСУ ОБ ОПРЕДЕЛЕНИИ УДЕЛЬНОГО КОНТАКТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ TLM-МЕТОДОМ С ПРЯМОУГОЛЬНЫМИ КОНТАКТАМИ К ПОЛУПРОВОДНИКАМ

Θεματικοί όροι: 0103 physical sciences, Удельное контактное сопротивление, Contact resistivity, TLM-method, 01 natural sciences, TLM-метод

A cantilever type MEMS switch with enhanced contact force: the first results

Συγγραφείς: Belozerov, Igor, Uvarov, Ilia

Θεματικοί όροι: МЭМС-переключатель, contact resistance, контактное сопротивление, контактное усилие, напряжение срабатывания, pull-in voltage, MEMS switch, cantilever, contact force, кантилевер